本发明公开了一种p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法,是先按铜、铬和M的摩尔比为1∶(0.75~1)∶(0~0.25),称量氧化亚铜、氧化铬及金属M的氧化物,将原料混合后球磨;再将球磨之后的粉末压坯,制备成复合靶材,靶材为常温制备未经高温烧结,氧化亚铜和氧化铬及M的氧化物未发生化学反应;用得到的靶材通过脉冲激光沉积法在基板上沉积CuCr1-xMxO2薄膜,0≤x≤0.25。制得的铜铁矿结构多晶CuCr1-xMxO2(0≤x≤0.25)薄膜具有较高的电导率和可见光透过率,实验结果具备可重复。
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