本发明公开了一种高纯大尺寸氧化镁单晶的制备方法,属于晶体生长技术领域。该方法首先将
菱镁矿石提纯化处理,得到高纯的重烧氧化镁;重烧氧化镁经破碎、磁选、分筛后得到分级氧化镁粉体;按照最大密度的堆积原则,将分级氧化镁粉体级配混合,然后将10~50吨混合料一次性装入单晶生长炉体中;在温度2800~3500℃、电流2万安培条件下冶炼20~50小时;自然冷却后剥离外层的多晶氧化镁层,得到氧化镁单晶块,再通过分选,即可得到高纯大尺寸氧化镁单晶。本发明方法可以生产高纯度(≥99.99%)、大尺寸(≥2英寸)氧化镁单晶,且该方法制备工艺简单,对原料来源和设备及工艺条件的要求低,有利于推广应用。
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