本发明公开了一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产晶硅太阳 电池的方法,包括制绒、扩散、去磷硅玻璃、等离子增强型化学气相淀 积法淀积氮化硅薄膜、背电极印刷、烘干、背电场印刷、烘干、正电极 印刷步骤,在背电场印刷、烘干后先在烧结炉中进行第一次高温烧结处 理,然后进行正电极印刷,并在正电极印刷后在烧结炉中进行第二次高 温烧结处理,然后经测试分选得产品。本发明的实质,在规模化生产方 面,在背电极,铝背场印刷之后,增加一个高温烧结工艺,改变以前的 共烧工艺为二次烧结炉的烧结工艺。二次烧结炉高温烧结后,P+层的 厚度为5-10μm。经过二次高温烧结工艺烧结的电池效率分别比共烧工 艺制造的提高0.25-0.6%,本发明适合于规模化生产。
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