本发明公开了一种CoCrPt-氧化物磁记录靶材、薄膜及其制备方法,该CoCrPt-氧化物靶材包括SiO2,TiO2,CrO,Cr2O3,Ta2O3,W2O3,Al2O3,Y2O3等氧化物中的一种或几种,其中氧化物相的平均晶粒尺寸在3~20μm。合金靶材中Co、Cr、Pt形成α-Co及ε-Co两相Co基固溶体,其中以低温相六方ε-Co固溶体为主,靶材的厚度在2~6mm之间,靶材的透磁率(PTF)值40%~60%之间。由该合金靶材制得的磁记录介质的磁记录层呈(002)晶面的择优取向生长,在X衍射分析中,用式(1)表示的(002)晶面的X射线衍射峰强度比:………………………式(1)为70%~90%。本发明的溅射靶,有害杂质元素含量低,晶粒尺寸细小均匀,化学成份均匀且偏离名义成分较小。使用上述溅射靶材制备的磁记录介质,该磁记录介质晶粒细小均匀、非磁性晶界明显,磁学性能优良。
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