本发明提供了一种晶体硅体少子寿命的测试方法,包括以下步骤:S100:去除待测晶体硅表面的污垢和氧化层;将去除表面污垢和氧化层的待测晶体硅置于化学腐蚀液中浸泡30s~10min;将所述经化学腐蚀液浸泡后的待测晶体硅进行光照处理和/或热处理;S200:对所述经过步骤S100处理的待测晶体硅进行厚度测量和表观少子寿命测试;S300:将步骤S200得到的厚度和表观少子寿命代入公式中,得到晶体硅的体少子寿命:其中,τeff代表表观少子寿命;τbulk代表体少子寿命;Dn代表少子扩散系数;W代表待测晶体硅的厚度。利用本发明的方法大大提高了测试结果的准确度,能够准确反映待测晶体硅的质量,且该方法重复性好,具有很高的实际应用价值。
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