本发明公开了一种通过原位化学气相沉积来生长卤化物
钙钛矿纳米晶的方法,方法包括步骤:将卤化铅粉末和卤化铯粉末研磨混合获得固相前驱体;将固相前驱体和介孔分子筛相互混合;将混合粉末放在氮气氛围中加热,使固相前驱体升华为气态并被吸附进介孔分子筛的孔道内;降低温度,使气相铅、铯和卤素原子在分子筛孔道内原位反应并形成卤化物钙钛矿纳米晶。本发明通过在分子筛孔道中原位气相生长Cs4PbBr6和CsPbBr3混合相,利用Cs4PbBr6来钝化CsPbBr3的表面缺陷,使CsPbBr3纳米晶的荧光量子产率达到90%以上,大大提高了其发光性能。同时,本发明通过调整卤化铅和卤化铯中的卤素种类,获得不同发光颜色的卤化物钙钛矿纳米晶,包括绿光CsPbBr3纳米晶、蓝光CsPbClxBr3‑x纳米晶、红光CsPbI3纳米晶。
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