本发明涉及
光伏或半导体领域中的一种氮化硅的回收方法,特别是一种高纯氮化硅的回收方法,回收得到的高纯氮化硅可以再次应用于
多晶硅生产用坩埚涂层的制备或其他领域;采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料,氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质,其特征在于:将氮化硅原料经过化学溶液处理后得到高纯氮化硅;氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅50%-99.98%,二氧化硅、硅、金属等杂质0.02%-50%;不仅实现了高纯氮化硅的回收,还解决了固体废弃物的污染问题。
声明:
“高纯氮化硅的回收方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)