光伏晶体硅加工废砂浆综合处理技术:按照申请号201110101064.7《
光伏电池晶体硅加工废砂浆综合处理新方法》处理晶体硅加工废砂浆,完成分离、回收废砂浆中的PEG和铁后,把由SiC、Si微粉组成的二元砂进行气流分离处理,得到SiC≥90%、Si≤10%、粒度5-30um的SiC微粉;Si≥95%、SiC≤5%、粒度≤10um的Si微粉;把SiC微粉加入适量的粘合剂压制成型,经干燥后用N2≥95%的氮气,1100-1650℃在氮化烧结炉氮化烧结,得到以氮化硅为结合剂的碳化硅陶瓷制品;把Si微粉利用压缩N2喷入气流床反应器,形成旋流,以利于3Si+2N2=Si3N4-733kJ反应的进行和反应产物的收集回收,控制反应温度在1000-1600℃左右,实现氮化硅粉体的无球磨连续生产。
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