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TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法

816   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 02:43:39
本发明公开一种TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料,其包括MoS2纳米花和TiO2纳米颗粒;所述TiO2纳米颗粒均匀且大量分布在所述MoS2纳米花的表面,在花瓣上具有良好复合;所述TiO2纳米颗粒相呈点状密集分布。为本发明还公开了TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料的制备方法,采用两步溶剂热法使MoS2纳米花上均匀生长出点状TiO2纳米颗粒,得到良好复合形貌的材料。本发明制备方法具有操作简单,产量高,制备成本低等优点。本发明材料在光催化工业废水和场发射领域有极大发展应用潜力。
声明:
“TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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