本发明涉及一种低温制备多孔碳化硅(SiC)多孔支撑体的方法。使用十二烷基苯磺酸钠(SDBS)和ZrO2作为烧结助剂,活性炭粉作为造孔剂,碳化硅粉体为骨料混合均匀,通过干压成型得到胚体,经烘箱干燥后,按烧结温度进行烧结,在1150℃左右即制备出碳化硅支撑体。该方法可降低烧结温度,能够节约能耗。本发明制备出来的支撑体具有高强度、高气体渗透性能、优良的化学稳定性,在高温烟气除尘、废水处理等方面具有很广泛的应用前景。
声明:
“低温制备多孔碳化硅支撑体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)