本发明公开了一种基于Au掺杂In
2O
3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法,属于金属氧化物
半导体材料的气体传感器领域。本发明以硝酸铟为铟源,氯金酸为金源,采用水热法制备具有六方相晶体结构、直径为75~125nm的Au掺杂In
2O
3纳米球。将制备的Au掺杂In
2O
3纳米球分散在乙醇溶液中,制备成气敏料浆,然后将其均匀地涂覆在电极元件表面,制备成气敏元件。本发明所述的Au掺杂In
2O
3纳米球合成方法简单、成本低、无污染、结构稳定。本发明所述的气敏元件灵敏度高、具有良好的响应和恢复特性,并且具有良好的响应可逆性,重复性和稳定性,能够填补目前市场上该类气体定量检测的空白,对于保障选矿厂
浮选车间工作人员的生命健康安全具有重要意义。
声明:
“基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)