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硼10-LBO晶体的生长方法

673   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:32:08
本发明涉及一种硼10‑LBO晶体的生长方法,属于晶体制备的技术领域。本发明以碳酸锂和硼‑10酸为原料,三氧化钼和三氧化钨为助熔剂,在晶体生长炉中加热熔解后,加入籽晶,经过降温生长获得硼10‑LBO晶体。本发明解决了硼10‑LBO晶体容易开裂的问题,原因是采用氧化钼‑氧化钨为新型的助熔剂时,熔体粘度较小,便于物料流动和传质,生长出高质量的硼10‑LBO晶体且不易开裂。使用本发明的晶体生长方法获得的硼10‑LBO晶体,可以作为中子探测用晶体材料,解决目前中子散射探测器的需求。
声明:
“硼10-LBO晶体的生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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