本发明涉及
电化学领域,尤其是一种电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化钴纳米片的方法。将经分散剂分散的钴盐于水热釜中150‑220℃下反应3~24h,反应后降至室温,将悬浊液离心获得沉淀,沉淀经有机溶剂反复洗涤,所得沉淀干燥再将其于碱性溶液的电解液中,恒电流密度下电催化氧化即可得到单层多孔羟基氧化钴纳米片。本发明具有反应条件温和、工艺流程简单、能耗低、可规模化生产等优点,所得产品具有孔径分布窄、孔隙率高、比表面积大、批次间重复性好等优势,有望在锂离子电池、超级电容器以及电催化等领域得到广泛应用。
声明:
“电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化钴纳米片的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)