本发明公开了一种由二氧化硅制备纳米硅的新方法,该方法基于镁热还原SiO2是放热的自发反应的原理,通过在室温下低转速球磨引发反应,并利用反应放热,维持反应自发进行,10min即可基本完成。原料简单易得,操作步骤非常简单,具有简单快捷,产率高,成本低、反应产物纯度高、易于放大等优势,制备出的纳米硅颗粒尺寸小,分布均匀,具有多孔结构,可利用在锂离子电池
负极材料,传感器,光学器件等各个方面,极具工业化应用前景。
声明:
“由二氧化硅制备纳米硅的新方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)