一种二硫化钼薄膜材料的制备方法,以MoS2靶材为原料,在氩气和硫化氢混合气体环境中,通过磁控溅射法在基底上制备MoS2薄膜,二硫化钼薄膜材料的厚度为0.1-10.0μm。本发明的优点是:通过在磁控溅射技术使用Ar气-H2S混合气和基底加热原位退火方式,可以保证MoS2薄膜实现均匀沉积并且S/Mo原子比保持在2∶1,增加溅射时间可以有效增加厚度,提高MoS2纳米薄膜产量;该方法简单快速,制备工艺简单,厚度可控,方法薄膜便于控制,为其在光电池、
锂电池、固体润滑剂和其他方面的广泛应用提供了可能。
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