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具有高离子电导率的NASICON型固体电解质及其制备方法

999   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:26:04
一种具有高离子电导率的NASICON型固体电解质及其制备方法。该方法通过向Li1+xAlxGe2‑xP3O12(其中0≤x≤1,以下x均在此范围内)微晶玻璃中引入B2O3来进一步降低Li+离子的活化能,从而提高微晶玻璃的离子电导率。本发明NASICON固体电解质主体为Li1+xAlxGe2‑xP3O12微晶玻璃,摩尔成分为:14.82~25.00mol%的Li2O,24.69~45.00mol%的GeO2,2.47~12.50mol%的Al2O3,37.04~37.50mol%的P2O5和0.01~1.23mol%B2O3。本发明采用铂金坩埚制备玻璃前驱体,再将玻璃前驱体在马弗炉中热处理后得到具有NASICON结构的微晶玻璃固体电解质。通过控制B2O3的掺入浓度,使得该NASICON类型固体电解质常温下的离子电导率提高4倍左右,该固体电解质具有高离子电导率、无毒、安全稳定和易于加工等优势,在全固态锂电中有极大的应用前景。
声明:
“具有高离子电导率的NASICON型固体电解质及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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