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一维MoS2纳米管材料及其制备方法

868   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:24:29
本发明公开了一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法,包括以MoO3,S粉为初级材料,采用Te辅助化学气相沉积法生长MoS2纳米管材料,所述的单根MoS2纳米管直径为80~200nm,通过Te辅助化学气相沉积法在SiO2/Si衬底表面生长高质量单晶MoS2纳米管,Te辅助化学气相沉积过程中采用Te粉作为催化剂,无需再采用模板和特定前驱体结构设计,工艺简单,产率高,且成本低廉,适合批量生产;在SiO2/Si衬底上直接生长MoS2纳米管,所制备的纳米材料形态均一、结构性能稳定,可以作为场效应晶体管沟道材料、光催化、电催化、太阳能电池、柔性传感器,场发射和锂离子电池负极材料
声明:
“一维MoS2纳米管材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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