本发明公开了一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法,包括以MoO3,S粉为初级材料,采用Te辅助化学气相沉积法生长MoS2纳米管材料,所述的单根MoS2纳米管直径为80~200nm,通过Te辅助化学气相沉积法在SiO2/Si衬底表面生长高质量单晶MoS2纳米管,Te辅助化学气相沉积过程中采用Te粉作为催化剂,无需再采用模板和特定前驱体结构设计,工艺简单,产率高,且成本低廉,适合批量生产;在SiO2/Si衬底上直接生长MoS2纳米管,所制备的
纳米材料形态均一、结构性能稳定,可以作为场效应晶体管沟道材料、光催化、电催化、
太阳能电池、柔性传感器,场发射和锂离子电池
负极材料。
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