本发明提供一种双向导通槽栅功率MOS器件结构及其制造方法,在硅片表面形成栅极、源极和漏极,实现双向导通双向耐压的功率MOS器件,可用于
锂电池BMS防护等应用环境下。相比于传统BMS中采用双管串联的方式以及其他实现双向导通的结构,本发明提出的器件结构具有以下优点:第一,本发明提出的器件仅需要占据传统方式一半甚至更小的面积,极大地提高了集成度;第二,本发明所提出的器件结构制造工艺简单且制造成本也不高,降低了工艺制造上的问题;第三,本发明所提出的器件结构漏极和源极可以对换,实现上真正意义上的对称结构和双向导通双向耐压;第四,本发明所提出的器件结构由于漏极、源极和栅极均在硅片表面,因此易于集成,增加了应用环境。
声明:
“双向导通槽栅功率MOS器件结构及制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)