本发明公开了一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状
复合材料的制备方法,采用简单的溶液快速热反应法,制备成分散在毫米级片状非晶碳上SnO2纳米晶复合材料,SnO2纳米晶的尺寸为4~5nm,复合材料的比表面积可达90~120m2/g。本发明操作过程简单,不需要特殊的气氛保护,成本低,易于工业化生产,且所制备的SnO2纳米晶/C片状复合材料重复性和一致性好,可望在光催化、吸附、气敏传感、锂离子电池和
太阳能电池等应用中体现出增强的性能。
声明:
“大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)