本发明属于半导体技术领域,具体涉及基于声表面波器件的动态阵列
纳米材料应变平台搭建及器件制备,其特征在于:引入的应变范围可以通过声表面波器件的参数设计控制,并且可以通过通断电来实现是否引入应变。具体包括设置在最底层的EVB评估板,板中央固定128°Y铌酸锂衬底,衬底上设有规定方向预设图形的金属叉指电极,电极中央设有100um*100um的空白区域用以搭载二维材料,整个平台通过外设驱动供电。本发明的有益效果是为改善二维材料性能提供一种新的动态阵列应变平台,通过改变设计参数准确控制应变大小和范围,灵活性强,实现实时调控。
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“基于声表面波器件的动态阵列纳米材料应变平台” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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