本发明公开了一种硅基垂直槽式纳米线光调制器,可用于光通信、集成光子学和硅基光子学等领域。在垂直槽式纳米线的基础上,通过在其缝隙区及上包层填充电光系数高、折射率低的聚合物材料,高折射率区为本征硅,两侧为铌酸锂并与电极直接接触,构建硅光调制器。通过该调制器的设计,可以实现缝隙区的光功率及射频电场最大,同时有效面积最小,获得最优的电光效应,使光场/射频电场的交迭积分因子最大、射频传输损耗低、光/射频模式的有效折射率匹配,以获得最佳的调制性能。
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