本发明涉及一种三氧化钼四方纳米片的制备方法,其特征在于步骤如下:将钼源、硫源及还原剂溶于溶剂中,通过离心搅拌使其均匀的分散到溶液中,移入不锈钢反应釜,密封,恒温100℃~300℃反应24h后,冷却至室温,得到反应产物,分离上述反应产物,洗涤、干燥,得到前驱体MoS2;将MoS2
纳米材料置于管式炉中,在空气或氧气气氛中,300℃~600℃下恒温保温24h,退火0.5~5h得到MoO3四方纳米片,厚度在100-150nm,大小1~2μm。本发明方法的原料易得、价格低廉,制备工艺简单、参数易控,生产过程安全环保,其能在气敏、磁性及
锂电材料等方面广泛应用。
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