本发明属于
纳米材料制备技术领域,具体涉及高产率CuInP
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6量子点的制备,为开发一种能够高产率高通量制备CuInP
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6低维材料的方法,本发明提供一种高产率CuInP
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6量子点的制备方法,将经研磨后的CuInP
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6晶体与锂的烷基衍生物混合均匀,进行静置处理;静置后的产物经清洗后与水混匀,进行超声分散处理;对超声分散后的产物进行离心收集上清液,上清液兑入无水乙醇后离心收集沉淀,沉淀经清洗后再次兑入无水乙醇,离心收集沉淀,最后将沉淀进行干燥得到CuInP
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6量子点。采用本发明方法生产CuInP
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6量子点,效率高,产率高至28.7%,具有较好的经济效益。
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“高产率CuInP2S6量子点的制备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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