本发明涉及一种适用于大规模集成电路和半导体器件等电子封装用的键合铜线,本发明的键合铜线成分满足如下条件:0.0005~0.02wt%,镁、0.0005%~0.01%wt锶,且0.0015wt%≤Mg+Sr≤0.025wt%;还可以进一步添加附带元素硼、钙、镧、锂和镍等中的1种、2种或3种,但附带元素的总添加量≤0.4×(Mgwt%+Srwt%)。本发明所述的键合铜线的制备方法包括制作中间合金,铜合金圆杆的制备、铜圆杆的致密化冷处理、拉制、最终退火、复绕分装和最终的保护性包装。
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