本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5),按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa~2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体,使该混合气体从喷嘴部(5)的顶端侧向1Pa~100Pa的真空气氛喷出。由此混合气体进行绝热膨胀,Ar原子、ClF3的分子结合在一起成为气体团簇(C)。在该气体团簇(C)未离子化的情况下,向硅基板(W)的表面部喷射,使该表面部多孔质化。而且在不破坏真空的情况下,在其它的真空室(41)中对该硅基板(W)的表面进行锂的溅射成膜。
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