本发明属于电池技术领域,尤其涉及一种硅基
负极材料及其制备方法,以及一种负极片,一种二次电池。其中,
硅基负极材料包括硅基内核,包覆在所述硅基内核表面的离子导体层,和包覆在所述离子导体层背离所述硅基内核表面的电子导体层,所述电子导体层包括一维导体材料和/或二维导体材料。本发明硅基负极材料中,包覆在硅基内核表面的离子导体层,离子传输速率快,可显著提升内核硅基材料的锂离子等离子脱嵌速率;包覆在外表面的电子导体层包含有一维和/或二维导体材料,可以提高硅基负极材料表面的电子传输迁移效率,同时对硅基材料起到缠绕包覆效果,抑制硅基材料的体积膨胀效应,提升硅基负极材料的容量密度、循环性能和安全性能。
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“硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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