本申请涉及一种
负极材料、
电化学装置和电子装置。本申请的负极材料包括硅基复合物,其中,所述负极材料在X射线衍射图谱中,2θ在22.0°至24.0°的峰值强度为I1,在44.0°至46.0°的峰值强度为I2,满足I2/I1>1。本申请的负极材料使用掺杂元素进行SiOx的体相掺杂,掺杂元素与硅形成化学键,增加硅和氧之间的键长,降低硅氧材料在嵌
锂的能垒,从而提高硅氧材料的电子和离子传导,显著改善材料的倍率性能和循环过程中的膨胀。
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