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自旋光电子器件

967   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 23:38:19
一种自旋光电子器件，包括衬底层，所述衬底层采用蓝宝石基GaN材料，在所述衬底层上依次生长有P型缓冲层、阻挡层、第一势垒层、浸润层、量子点层、间隔层、量子阱层、第二势垒层、n型接触层和电极层，所述n型接触层与所述电极层形成自旋阀注入结构，所述电极层包括依次生长的镧系稀土锰氧化物、氘代MEH‑PPV聚合物、氟化锂电子注入层、惰性金属保护层、上电极材料层。本实用新型所述的氘代MEH‑PPV聚合物半导体材料具有更弱的超精细作用，从而更利于自旋在材料内部的传输；在阴极一侧插氟化锂电子注入层则有利于实现器件的双极注入，因此，这种自旋阀结构的有机发光二极管具有更低的驱动电压和更长的自旋传输距离。
声明：
“自旋光电子器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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