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低界面阻抗硅/石墨复合负极材料及其制备方法

784   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:38:17
本发明涉及低界面阻抗硅/石墨复合负极材料。该复合负极材料是以纳米硅材料为基底材料,中间层为厚度2~100nm的碳化硅膜,连接硅基体与石墨融合,通过控制膜的厚度保证锂离子在硅/石墨符合体系中的扩散不受界面影响,保证界面低阻抗特征。本发明通过构筑界面层降低硅与石墨之间界面阻抗,实现硅/石墨复合负极材料一体化,然后通过二次造粒、包覆、粉碎、筛分形成低界面阻抗一体化复合负极材料产品。本发明具有的优点是:在硅表面构筑一层具有锂离子穿透能力的碳化硅膜,一方面保护硅在高温下与石墨接触并发生反应而生成碳化硅,进而失去硅的活性;另一方面碳化硅作为硅与石墨融合的界面层,降低了硅与石墨固相之间界面阻抗,提高了硅与石墨的一体化程度。另外,在硅/石墨融合过程中加入气相碳纤维,进一步降低界面阻抗。
声明:
“低界面阻抗硅/石墨复合负极材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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