本发明公开了一种利用辉钼矿制备高纯二硫化钼纳米片的
电化学方法,所得二硫化钼纳米片纯度达到99.0%以上,纳米片平均厚度仅10‑30nm。该方法包括以下制备步骤:(1)将碱金属氯化盐置于镍制反应容器中,高温熔融,随后将熔融盐温度降至反应温度;(2)将辉钼矿加入到镍制容器中,浸没于熔融盐中,以镍制容器作为阴极,以熔融盐为电解质,安装阳极进行电解;(3)电解结束后,取出阳极,惰性气氛下冷却至室温,收集阳极表面沉积物,经洗涤干燥即得高纯二硫化钼粉末。本发明方法操作简单,过程清洁,制备成本低廉;得到的二硫化钼纳米片性质稳定,用作锂离子电池
负极材料时,表现出较好的储锂性能和电化学稳定性。
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