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纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法

652   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:35:24
本发明涉及一种纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法,电解液中含有摩尔比为100:(2.5?10):(1?10):(40?100)的氯化锂、氯化铟、亚硫酸钠和硫代硫酸钠,电解液的pH值介于2.5?3.75之间,电解液经搅拌后用电沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备出了附着力良好的预沉积薄膜,然后将预沉积薄膜置于硫粉和惰性气氛保护条件下于200?600°C下恒温,得到纯相高结晶性的In2S3半导体薄膜。本发明提供的方法在ITO玻璃基底上制备出纯相In2S3半导体薄膜,适合作为薄膜太阳能电池的缓冲层材料。
声明:
“纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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