本发明涉及一种纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法,电解液中含有摩尔比为100:(2.5?10):(1?10):(40?100)的氯化锂、氯化铟、亚硫酸钠和硫代硫酸钠,电解液的pH值介于2.5?3.75之间,电解液经搅拌后用电沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备出了附着力良好的预沉积薄膜,然后将预沉积薄膜置于硫粉和惰性气氛保护条件下于200?600°C下恒温,得到纯相高结晶性的In2S3半导体薄膜。本发明提供的方法在ITO玻璃基底上制备出纯相In2S3半导体薄膜,适合作为薄膜
太阳能电池的缓冲层材料。
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