本发明公开了一种二烷基一氯
硅烷的合成方法,该方法步骤:将还原剂A加入到盛有溶剂B且装有冷凝回流装置的容器内,A与B的质量比为1 : 10~1 : 90,搅拌10~20分钟;在16~20分钟范围内加入同还原剂A等摩尔量的原料C,在温度55℃~90℃下进行反应,搅拌反应时间为2~3小时;原料C结构式为(Rf)2SiCl2,其中Rf为甲基、乙基、丙基或丁基;将反应温度升高到120-130℃,搅拌40-60分钟后停止反应,将反应后混合物经过过滤、蒸馏即可;溶剂B为甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、N, N-二甲基咪唑烷酮中一种或几种,还原剂A为氢化铝/氯化铝、氢化铝锂/氯化铝、氢化钠/氯化铝或氢化铝/氢化铝锂中一种或几种,本方法反应工艺和后处理简捷,合成产率较高,原料成本较低。
声明:
“二烷基一氯硅烷的合成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)