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垂直MXene阵列极片的制备方法、垂直MXene阵列极片及应用

747   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:32:18
本发明提供一种垂直MXene阵列极片的制备方法,属于电池技术领域。该制备方法,包括如下步骤:MXene纳米片的制备和垂直MXene阵列极片的制备;将MXene纳米片粉末进行分散,配成分散液,得到MXene分散液;裁取铜箔置于冷冻板上;将MXene分散液置于铜箔上并进行涂布,涂布厚度为50微米‑500微米;待涂布完成后,进行冻干,冻干结束后得到垂直MXene阵列极片。本发明提供的制备方法利用冰模板法将MXene纳米片设计成垂直三维结构,能够有效的利用所有MXene,并且在和Li反应过程中会在垂直MXene表面形成均匀垂直的SEI层,有效减少金属锂和电解液的副反应,作为锂金属负极具有好的性能。
声明:
“垂直MXene阵列极片的制备方法、垂直MXene阵列极片及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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