本发明提供一种垂直MXene阵列极片的制备方法,属于电池技术领域。该制备方法,包括如下步骤:MXene纳米片的制备和垂直MXene阵列极片的制备;将MXene纳米片粉末进行分散,配成分散液,得到MXene分散液;裁取铜箔置于冷冻板上;将MXene分散液置于铜箔上并进行涂布,涂布厚度为50微米‑500微米;待涂布完成后,进行冻干,冻干结束后得到垂直MXene阵列极片。本发明提供的制备方法利用冰模板法将MXene纳米片设计成垂直三维结构,能够有效的利用所有MXene,并且在和Li反应过程中会在垂直MXene表面形成均匀垂直的SEI层,有效减少金属锂和电解液的副反应,作为锂金属负极具有好的性能。
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