本发明公开了一种用气相沉积
碳纳米管管包覆硅
负极材料的制备方法,包括依次进行的以下步骤:将硅粉与催化剂放入搅拌机中混合,取出;将混合得到的粉体放入流化床中,通入H
2还原粉体;在流化床中继续将还原得到的粉体用N
2流化,通入碳源气体,炉温500~1000℃反应,得到反应后产物A;将反应后产物A进行气流粉碎,得到成品。本发明中的制备方法简单,成本低廉;制得的材料增强了电极的导电性,限制了硅脱嵌锂过程中的膨胀和收缩,适用于所有锂离子电池的负极。
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“用气相沉积碳纳米管管包覆硅负极材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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