本发明属于多孔硅材料的合成领域,具体涉及一种镁热还原制备多孔硅的方法。该方法以硅的氧化物SiOx(x=0.5-2)为原料,通过镁热还原反应生成硅和氧化镁的混合物,再使用酸选择性溶解掉氧化镁,最终获得自支撑的多孔硅材料。本发明提供的方法相对于以往传统的
电化学阳极腐蚀方法,避免使用价格昂贵的单晶硅片,而采用简单易得且成本较低的硅氧化物作为原料,既降低了成本又提高了产量,且制备工艺简单、环境友好、制备效率高、重复性好,更适合工业化生产,有望在锂离子二次电池、光电材料、生物医药和气敏器件等领域广泛应用。
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