本发明属于电池技术领域,公开了一种碳布负载碳包覆的硒化钴纳米片电池
负极材料及其制备,其中,碳布负载碳包覆的硒化钴纳米片电池负极材料包括碳布和位于该碳布上的由垂直二维纳米片作为构筑单元彼此交错并相连所构成的三维阵列,二维纳米片为氮掺杂碳镶嵌CoSe
2颗粒,CoSe
2颗粒周围被结晶碳所包覆;二维纳米片厚度为100‑200nm。本发明通过对负极材料的细节组成及结构,相应制备方法的整体流程设计、以及关键工艺的参数条件设置(如原料的选取、电沉积参数等)进行改进,与现有技术相比,得到的负极材料具有较高的比容量,优异的循环性能和倍率性能,且可以同时应用到锂离子电池和
钠离子电池中。
声明:
“碳布负载碳包覆的硒化钴纳米片电池负极材料及其制备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)