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窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法

821   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:22:38
本发明涉及一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法,其方法为通过改变1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基环三硅氧烷(VD3)和阴离子引发剂的投料比,调整反应时间及反应温度,控制单体的转化率,结合阴离子开环聚合的优势,开环聚合可制备得到分子量分布(Mw/Mn≤1.2)极窄的聚硅氧烷,分子量在3000~30000可调。上述制备方法具体为向20ml的安倍瓶加入VD3单体0.5~2.0ml溶济单体,然后加入新蒸四氢呋喃1.4ml,搅拌约20~30min,在冰水浴中恒定温度,加入正丁基锂溶液0.1~0.6ml达到预定反应时间后,用无水冰甲醇沉淀出聚合物。本发明技术中,由于阴离子开环聚合过程中,单体引发剂投料比可调、反应温度可调、反应时间可控,可以通过控制单体转化率,得到分子量分布极窄、分子量可调的聚硅氧烷。
声明:
“窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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