本发明属于分子电子材料领域,具体涉及一种芘基硼烷分子电子材料及其制备方法。本发明提出的分子电子材料在结构上含有含芘基及吡啶基硼烷;该材料的优点有两个方面:(1)具有平面共轭大Π结构;(2)B原子具有外层空轨道,N原子具有外层孤对电子,二者结合,可使电子在材料中的运动速度加快、势垒降低,即具有较高的载流子迁移率。该材料由2,7-二溴芘、4-吡啶基溴硼烷、正丁基锂以及钯炭为起始原料,通过一步法制备获得,制备工艺简单。
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