本发明公开了一种复合单晶压电衬底薄膜及其制备方法,制备方法包括对抛光、清洗后单晶晶圆采用离子注入法注入He
+或者H
+时,调控单晶晶圆中心位置与边缘位置的注入剂量参数和/或温度参数,得到单晶晶圆注入片;本发明的一种复合单晶压电衬底薄膜的制备方法简单易行,退火分离时不需要涂胶加压或机械分离,能够避免现有工艺中机械撕裂,划伤晶片的问题;采用本发明的制备方法所得的晶片缺陷率低,成品率能达到99%以上,而现有技术的成品率一般在80%以下;并且在衬底不断裂的情况下完整分离铌酸锂/钽酸锂薄膜的制备工艺,能满足大规模的工业化生产的需要,具有良好的经济效益和社会效益。
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