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修复低k介电膜中的碳损耗

919   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:15:13
本发明公开了一种修复受损的低k介电材料的方法。常用于生产半导体器件的基于等离子体的方法通常会损坏含碳的低k介电材料。受损的介电材料暴露在水分中时可能形成硅醇基团。在优选的实施方案中,两步法将硅醇转化为合适的有机基团。第一步包括用卤化剂将硅醇转化为卤化硅。第二步包括利用衍生剂,优选利用有机金属化合物用合适的有机基团取代卤化物。在一个优选的实施方案中,卤化剂包括亚硫酰二氯,有机金属化合物包括烷基锂,优选甲基锂。在另一个优选的实施方案中,有机金属化合物包括格氏试剂。本申请公开的实施方案有利于生产商通过选择性加入有机基团对低k介电材料的密度、极化和离子化性能进行设计。
声明:
“修复低k介电膜中的碳损耗” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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