合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 加工技术

> 基于铁电金属异质结的忆阻器及其制备方法

基于铁电金属异质结的忆阻器及其制备方法

800   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:14:01
基于铁电金属异质结的忆阻器,其中忆阻器材料铁电铌酸锂,采用脉冲激光沉积系统制备:将单晶LN靶材(4)固定在脉冲激光沉积制膜系统的靶台(5)上,放置在脉冲激光沉积制膜系统的生长室(6)中;生长室中的真空抽到0.8×10-4Pa以下,并通入氧气,氧气压25~35Pa间,将衬底温度升到600~650℃间;启动KrF准分子激光器,根据单脉冲能量,确定沉积时间,沉积厚度为30nm~200nm厚LN薄膜;原位500~650℃退火20~90min;该薄膜具有自发极化和180°畴界。将忆阻器铁电铌酸锂薄膜夹在两金属电极膜之间构成微型三明治结构忆阻器单元。该器件可应用于高密度低能耗非易失性阻变存储器。
声明:
“基于铁电金属异质结的忆阻器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
加工技术
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记