本发明涉及光电
芯片技术领域,特别涉及一种混合集成光电芯片衬底结构的制备方法及衬底结构。方法包括:获取绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底;绝缘体上硅衬底包括支撑层和键合层,键合层包括硅薄膜层,硅薄膜层设置在支撑层上;绝缘体上铌酸锂薄膜衬底包括铌酸锂薄膜层;将铌酸锂薄膜层与键合层键合得到复合键合结构;去除复合键合结构中的支撑层,暴露出硅薄膜层得到混合集成光电芯片衬底结构。通过将绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底键合,得到性能优异的混合集成光电芯片衬底结构,从而能够实现性能更加优秀的光电芯片的制备。
声明:
“混合集成光电芯片衬底结构的制备方法及衬底结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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