本发明公开了一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法,该方法选择掺杂锂的氧化铜作为脉冲激光沉积的靶材,通过选择合适的锂掺杂浓度,即可得到低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜,其中金属锂的掺杂量为2wt%时,得到的p型氧化铜薄膜的电阻率为7.56Ω·cm、载流子浓度为7.39×1019cm?3。本发明操作简单,适用于低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的工业化制备。
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