本发明涉及一种用于声表面波(SAW)器件的压电晶片及其制备方法。本发明提供了一种压电晶片,其表层为具有近化学计量比结构的富锂层+还原层、厚度为几微米至几十微米,第二层为热释电效应弱的还原层,第三层为晶片基底层。为了实现上述多层结构,本发明提供了一种通过气相平衡运输方式(VTE)对经过还原处理的铌酸锂、钽酸锂晶片(还原片)进行富锂化的方法,使锂离子占据晶片表层中的锂空位。同时本发明还提供了一种通过优化丝网印刷
碳酸锂粉工艺,对经过VTE处理的表层富锂化的铌酸锂、钽酸锂晶片进行还原处理的方法。最终通过上述方法实现了具有表层晶格缺陷少、热释电效应弱的铌酸锂、钽酸锂多层结构的压电晶片。
声明:
“声表面波器件用压电晶片及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)