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制备铌酸锂晶体薄膜畴结构的方法

654   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:00:31
一种LN晶体薄膜畴结构的制备方法,包括以下步骤:)确定LN晶体薄膜的+C面;清洗;匀胶;在LN晶体薄膜的+C面涂覆光刻胶;光刻胶涂覆1±0.2um厚度的光刻胶;匀胶后,在65±15℃热台上进行烘干,时间为7±3分钟;光刻与显影;镀膜;采用电子束蒸发镀膜,在显影后的样品表面镀上一层金属电极,作为后续极化的电极图案;镀膜金属为铬,膜厚为120±20nm;光刻胶剥离;加压极化;使用探针加压法,其中采用导电盐溶液能够使得ITO玻璃衬底和与LN晶薄膜‑C面形成良好的欧姆接触;两个探针分别接触LN晶体薄膜的+C面图案电极与衬底上的ITO玻璃;然后在探针上施加一个脉冲偏置电压,完成对LN晶体薄膜的室温极化,随后用铬腐蚀液将LN晶体薄膜表面的金属电极图案去除。 1
声明:
“制备铌酸锂晶体薄膜畴结构的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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