本发明提供用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法。本发明方法是采用蚀刻剂的化学蚀刻工艺,所述蚀刻剂相对于硅相优先从多相硅合金蚀刻并去除其它相,且允许获得残余的硅纳米线和/或纳米带。在蚀刻前,所述硅合金在所述多相硅合金的微结构中包含或经处理以包含一维和/或二维硅纳米结构。当被用作二次
锂电池的阳极时,通过本发明方法生的硅纳米线或纳米带展现高储存容量。
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“用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法以及使用所述硅纳米线和/或纳米带的锂电池和阳极” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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