本发明公开了一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法,首先以SiO2作为掩模,用退火质子交换制作光波导;接着利用SiO2掩模作为标记直接将光波导和电极图形进行自对准套刻;随后采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法去除电极区的SiO2掩模;最后利用溅射以及金属剥离技术制作出电极图形并去除剩余SiO2掩模;采用本发明方法可以在铌酸锂光波导上形成电极图形,保证了光波导与电极套刻准确,电极边缘光滑,缺陷少,成品率高。
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