本发明涉及非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法,包括:(1)选用NaI、6LiX和TlX作为原料,再与脱氧剂混合后,置于坩埚中并密封;(2)将密封后的坩埚竖直置于晶体生长炉的中间位置,然后升温至700~1000℃并保温一定时间,使原料完全熔融;(3)设置固液界面的温度梯度为10~50℃/cm,坩埚下降速度为0.1~10mm/小时,开始锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的生长;(4)生长结束后,降至室温。
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