四硼酸锂单晶(Li2B4O7 : LBO)的坩埚下降法 (Bridgman)生长,属于单晶生长领域。本发明的特 征是:横截面积P(=S晶种/S晶体)≥15%的LBO 晶种和密度为0.9~1.4克/厘米3的LBO压块,放 入壁厚为0.08~0.15毫米的铂金坩埚中,在950~ 1100℃炉温下熔化压块和晶种顶部,再将铂坩埚以 ≤0.3毫米小时的速度下降,即可生长出无色透明, 完整性好,不易开裂的LBO单晶体。本方法温场稳 定,工艺设备简单,操作方便,可将多只坩埚放入 Bridgman单晶炉内,同时生长不同形状和尺寸的单 晶。
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