本发明涉及一种能源技术领域的用于
锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,以锡粉为原料、IV~VI族单体作为纳米线生长方向诱导剂,以贵金属作为催化剂,在800~1300℃范围内,常压下热蒸发,在硅基底上得到二氧化锡纳米线阵列。本发明首次提出使用IV~VI族单体作为生长方向诱导试剂,使纳米线以气液固(VLS)机制在表面能较高的(001)面优先呈阵列生长,从而得到规则、有序、较长的二氧化锡纳米线阵列。该纳米线阵列适用于高性能锂电池电极。
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